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PMV28UNEAR-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道场效应管（MOSFET），连续漏极电流ID为6A，漏源击穿电压VDSS为20V，适用于中低压功率控制应用。导通电阻RDON为22mΩ，在保证稳定性能的同时有效降低导通损耗。器件具备良好的热稳定性和快速响应特性，适合用于小型电源模块、开关电路、电池供电设备及各类消费类电子产品的功率管理与转换电路中。
- 商品型号
- PMV28UNEAR-HXY
- 商品编号
- C49420465
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025839克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 137pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 164pF |