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DMTH3004LPSQ-13-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备30V的漏源电压（VDSS）和高达90A的连续漏极电流（ID），适用于高电流、中低压功率应用场合。导通电阻（RDON）低至3.5毫欧，显著减少导通损耗，提高整体能效。器件采用成熟稳定的封装工艺，具备良好的散热性能与可靠性，可广泛用于电源转换器、储能系统、智能家电及高性能计算设备中的开关电路设计，为高效、紧凑型电力电子系统提供有力支持。
- 商品型号
- DMTH3004LPSQ-13-HXY
- 商品编号
- C49420461
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
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