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AUIRF7343QTR-HXY
双N+P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N+P沟道组合场效应管（MOSFET）具备60V的漏源击穿电压（VDSS）和6A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为40毫欧，支持双向电流控制，适用于需要高效开关性能的电源管理系统。该器件可应用于DC-DC转换器、电源开关、电机驱动及电池保护电路中，具备良好的热稳定性和较高的集成度，有助于简化外围电路设计并提升整体系统效率。
- 商品型号
- AUIRF7343QTR-HXY
- 商品编号
- C49420462
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.148nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58.5pF |
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