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AUIRF7343QTR-HXY
双N+P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N+P沟道组合场效应管（MOSFET）具备60V的漏源击穿电压（VDSS）和6A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为40毫欧，支持双向电流控制，适用于需要高效开关性能的电源管理系统。该器件可应用于DC-DC转换器、电源开关、电机驱动及电池保护电路中，具备良好的热稳定性和较高的集成度，有助于简化外围电路设计并提升整体系统效率。
- 商品型号
- AUIRF7343QTR-HXY
- 商品编号
- C49420462
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V；60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V；40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V；2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V；12.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.137nF；1.148nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49.4pF；50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF；58.5pF |
商品概述
AUIRF7343QTR采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 6 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 48 mΩ
- VDS = -60 V，ID = -5 A
- 在VGS = -10 V时，RDS(ON) < 85 mΩ
应用领域
- 无线充电-升压驱动器-无刷电机
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