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HUF76129D3ST-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道场效应管（MOSFET），具备20A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压VDSS为30V，适用于中低压功率控制场景。导通电阻RDON为15mΩ，在保证性能的同时有助于降低功耗。器件结构优化，响应速度快，适合用于电源开关、直流电机驱动、电池管理系统及高效能转换电路中，满足多种通用功率应用需求。
- 商品型号
- HUF76129D3ST-HXY
- 商品编号
- C49420464
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.368342克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 416pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
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