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FQD19N10TM-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备20A连续漏极电流（ID）和100V漏源耐压（VDSS），满足中高功率应用需求。导通电阻（RDON）典型值为80mΩ，有助于减少导通损耗，提高整体能效。器件采用通用封装形式，具备良好的散热性能与可靠性，适用于电源转换、开关控制、电机驱动及照明设备等多种电子系统，为电路设计提供高效且稳定的技术支持。
- 商品型号
- FQD19N10TM-HXY
- 商品编号
- C49420458
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.371克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
SI2338DS-T1-BE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V,ID = 20A
- RDS(ON) < 87mΩ(VGS = 10V时)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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