我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
立创商城logo
购物车0
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
FQD19N10TM-HXY实物图
  • FQD19N10TM-HXY商品缩略图
  • FQD19N10TM-HXY商品缩略图
  • FQD19N10TM-HXY商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

FQD19N10TM-HXY

N沟道增强型MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备20A连续漏极电流（ID）和100V漏源耐压（VDSS），满足中高功率应用需求。导通电阻（RDON）典型值为80mΩ，有助于减少导通损耗，提高整体能效。器件采用通用封装形式，具备良好的散热性能与可靠性，适用于电源转换、开关控制、电机驱动及照明设备等多种电子系统，为电路设计提供高效且稳定的技术支持。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
FQD19N10TM-HXY
商品编号
C49420458
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.371克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))80mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)26.2nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)1.535nF
反向传输电容(Crss)37pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)60pF

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

  • 9.5折

    购买数量

    (2500个/圆盘，最小起订量 5 个)
    个
    起订量：5 个2500个/圆盘

    总价金额：

    ￥ 0.00

    近期成交1单