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SI3404HE3-TPA01-HXY
N沟道 30V 5.8A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS），可提供连续漏极电流5.8A，导通电阻低至22mΩ，适用于需要高效功率控制的电子设备。该器件采用标准封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性，适合应用于电源管理、开关电路、负载驱动以及各类嵌入式系统中，满足高性能与小型化设计需求。
- 商品型号
- SI3404HE3-TPA01-HXY
- 商品编号
- C49420448
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024497克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 420pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
SI3404HE3-TPA01采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 5.8A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 28mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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