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SQ2348CES-T1_GE3-HXY

N沟道增强型MOSFET

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描述: 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于多种电源管理及功率控制场合。其主要参数包括：漏极电流ID为5.8A，漏源击穿电压VDSS为30V，确保在中等功率应用中的稳定表现；导通电阻RDON低至22mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用标准封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于开关电源、电机驱动、电池保护电路及各类消费类电子设备中的功率控制单元。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SQ2348CES-T1_GE3-HXY
商品编号: C49420451
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.024667克(g)

商品参数

SQ2348CES-T1_GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。