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IRFR1018ETRPBF-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下性能参数：最大漏极电流ID为80A，漏源耐压VDSS为60V，导通电阻RDON为6.5mΩ。该器件适用于高功率密度和高效能转换的应用场景，如直流电源转换、高性能电机控制、储能设备以及各类大电流电子装置中的开关与功率调节电路。其低导通电阻有助于减少能量损耗，提升系统工作效率，同时具备良好的热稳定性和负载适应能力。
- 商品型号
- IRFR1018ETRPBF-HXY
- 商品编号
- C49420453
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3715克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品概述
IRFR1018ETRPBF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且在低至4.5V的栅极电压下仍可正常工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 80 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 8.3 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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