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DMP2010UFV-7-HXY

P沟道 20V 60A

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描述: 本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具备20V的漏源电压（VDSS）和60A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至7mΩ，可有效降低导通损耗并提升效率。适用于高密度电源转换系统、同步整流电路及负载开关等场景，在高频开关应用中表现出优异的热稳定性和响应速度。该器件采用标准封装形式，便于集成于各类紧凑型电子设备中，满足多样化电路设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMP2010UFV-7-HXY
商品编号: C49420454
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.061745克(g)

商品参数

DMP2010UFV-7采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。