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DMP2010UFV-13-HXY
P沟道 20V 60A
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- 描述
- 本P沟道场效应管（MOSFET）具有20V漏源耐压（VDSS）、60A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至7mΩ，支持高效率功率开关应用。适用于电源转换、同步整流、负载开关及电池管理电路，在高频工作条件下仍能保持良好稳定性。器件采用通用封装形式，便于PCB集成与散热设计，满足多种高性能电子系统的应用需求。
- 商品型号
- DMP2010UFV-13-HXY
- 商品编号
- C49420456
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.061333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 690pF |
商品概述
DMP2010UFV-13采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -60A
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 10mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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