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SI2338DS-T1-BE3-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V漏源电压（VDSS）和5.8A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至22mΩ，有助于提升电路效率并减少发热。器件结构设计优化，具备良好的开关特性和热稳定性，适用于多种中低功率电源管理、开关电路、电池供电设备、消费类电子产品及嵌入式系统的功率控制应用。
- 商品型号
- SI2338DS-T1-BE3-HXY
- 商品编号
- C49420450
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 420pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
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