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IRFR3410TRLPBF-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有100V的漏源电压（VDSS）和30A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为35mΩ，能够在高功率密度环境下实现较低的能量损耗。器件基于成熟工艺设计，具备良好的热稳定性与开关性能，适用于电源转换、储能系统、高频开关电路及多种电子设备中的功率控制场合，为电路设计提供高效且可靠的核心支持。
- 商品型号
- IRFR3410TRLPBF-HXY
- 商品编号
- C49420447
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.377387克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.964nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
IRFR3410TRLPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 30A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 48mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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