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RSS100N03FRATB-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备优良的电性能和稳定性，适用于多种高效电子系统。其主要参数包括：漏极电流ID为13A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON为9.5mΩ，能够有效降低导通损耗，提高系统整体效率。该器件具有快速响应、高可靠性等特点，适合用于电源管理、DC-DC转换、电池保护电路及高性能电子设备中，满足对能效与空间布局有较高要求的应用场景。
- 商品型号
- RSS100N03FRATB-HXY
- 商品编号
- C49420443
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 983pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 147pF |
优惠活动
购买数量
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