IPD90P03P404ATMA1-HXY

P沟道增强型MOSFET

描述

本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS），可承受最高100A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至3.5mΩ，显著降低导通损耗并提升整体效率。该器件适用于高侧电源开关、直流-直流转换器及大电流控制电路，具备优异的热稳定性和高频开关性能，适合用于各类中高功率电子设备的设计与应用，满足对能效和可靠性要求较高的场景需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPD90P03P404ATMA1-HXY

商品编号

C49420445

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.386869克(g)