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IPD90P03P404ATMA1-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS），可承受最高100A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至3.5mΩ，显著降低导通损耗并提升整体效率。该器件适用于高侧电源开关、直流-直流转换器及大电流控制电路，具备优异的热稳定性和高频开关性能，适合用于各类中高功率电子设备的设计与应用，满足对能效和可靠性要求较高的场景需求。
- 商品型号
- IPD90P03P404ATMA1-HXY
- 商品编号
- C49420445
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.386869克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 109W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 726pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 769pF |
商品概述
IPD90P03P404ATMA1采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -100A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 4.5mΩ
应用领域
- 锂电池保护
- 无线冲击
- 手机快充
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