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FDS6694-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高效率、低损耗的电力电子转换系统。其主要参数包括：漏极电流ID为13A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON仅为9.5mΩ，有助于降低导通损耗并提升整体系统效率。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各类高性能电子设备中，满足对空间和能效有较高要求的设计场景。
- 商品型号
- FDS6694-HXY
- 商品编号
- C49420442
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 983pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 147pF |
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