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DMN2020LSN-7-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于中功率电源管理及高效开关应用。其主要参数包括：最大漏极电流ID为6.5A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON低至14mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于各类消费类电子设备中的DC-DC转换、负载开关及电机驱动电路中。
- 商品型号
- DMN2020LSN-7-HXY
- 商品编号
- C49420429
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
DMN2020LSN-7采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V，ID = 6.5 A
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 22 mΩ
- 静电放电（ESD）：2500 HBM
- N沟道MOSFET
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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