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MMSF10N03ZR2-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于需要高效能开关的应用场景。其主要参数包括：最大漏极电流（ID）为13A，漏源击穿电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDON）低至9.5mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。该器件采用标准封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源管理、消费类电子设备及高性能计算设备中的高频开关电路设计。
- 商品型号
- MMSF10N03ZR2-HXY
- 商品编号
- C49420436
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 983pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 147pF |
优惠活动
购买数量
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