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IRF7805TRPBF-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的开关性能与导通特性，适用于多种高效率电源转换场景。其主要参数包括：漏极电流最大可达13A，漏源电压耐受值为30V，导通电阻低至9.5mΩ，可有效减少能量损耗并提升整体系统效率。器件结构设计优化，具备良好的热稳定性与负载能力，适合应用于消费类电子产品、便携式设备电源管理电路以及各类高频开关电源中，满足多样化电路设计需求。
- 商品型号
- IRF7805TRPBF-HXY
- 商品编号
- C49420437
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V；12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 983pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 147pF |
商品概述
FDS4410A采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 = 30V
- 漏极电流 = 15A
- 栅源电压为10V时，漏源导通电阻 < 10mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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