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RSS100N03HZGTB-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有低导通电阻特性，典型值为9.5mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。其漏源电压（VDSS）为30V，持续漏极电流（ID）可达13A，适用于中高功率电源转换与控制场景。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源管理、电机驱动、开关电路以及各类电子设备中的功率调节模块。
- 商品型号
- RSS100N03HZGTB-HXY
- 商品编号
- C49420439
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
RSS100N03HZGTB采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 15A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 10mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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