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DMTH4008LPS-13-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备优异的导通特性和高效能表现。其漏极电流ID可达55A，漏源电压VDSS为40V，适用于中高功率应用场景。导通电阻RDON低至6.5mΩ，有助于降低工作损耗并提升系统效率。该器件采用标准封装形式，广泛应用于电源管理、开关电路及直流电机控制等领域，适合对性能与稳定性有较高要求的设计需求。
- 商品型号
- DMTH4008LPS-13-HXY
- 商品编号
- C49420433
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128141克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V；9mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 129pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.509nF |
商品概述
DMTH4004LPS-13采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40 V
- 漏极电流ID = 55 A
- 导通电阻RDS(ON) < 8.5mΩ，栅源电压VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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