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DMTH4008LPSQ-13-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有良好的导通性能与高可靠性。其最大漏极电流ID为55A，漏源击穿电压VDSS为40V，适用于中高功率电源转换场景。导通电阻RDON低至6.5mΩ，可有效减少导通损耗，提高系统整体效率。该器件适用于各类高效能开关电路、直流电源管理模块及电机驱动设计，满足对稳定性和性能有较高要求的应用需求。
- 商品型号
- DMTH4008LPSQ-13-HXY
- 商品编号
- C49420434
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1295克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.7nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 129pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.509nF |
商品概述
DMTH4008LPSQ - 13采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V，ID = 55A
- RDS(ON) ≤ 8.5mΩ（VGS = 10V）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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