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DMTH4014SPSW-13-HXY实物图
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DMTH4014SPSW-13-HXY

N沟道增强型MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
本产品为N沟道增强型场效应管(MOSFET),具有优异的导通特性和开关性能。其漏极电流ID可达40A,漏源电压VDSS为40V,导通电阻RDON典型值为11mΩ,能够有效降低导通损耗并提高系统效率。适用于高频率开关电源、DC-DC转换器、负载开关及电池管理系统中的功率控制场合,同时可满足多并联应用对一致性与稳定性的要求。器件采用标准封装形式,便于散热设计与PCB布局,为各类高效能功率电路提供可靠的核心支持。
商品型号
DMTH4014SPSW-13-HXY
商品编号
C49420431
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1305克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))11mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)24nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)1.54nF
反向传输电容(Crss)115pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)171pF

数据手册PDF

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