DMTH4014SPSW-13-HXY
N沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管(MOSFET),具有优异的导通特性和开关性能。其漏极电流ID可达40A,漏源电压VDSS为40V,导通电阻RDON典型值为11mΩ,能够有效降低导通损耗并提高系统效率。适用于高频率开关电源、DC-DC转换器、负载开关及电池管理系统中的功率控制场合,同时可满足多并联应用对一致性与稳定性的要求。器件采用标准封装形式,便于散热设计与PCB布局,为各类高效能功率电路提供可靠的核心支持。
- 商品型号
- DMTH4014SPSW-13-HXY
- 商品编号
- C49420431
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1305克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.54nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 171pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个5000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
相似推荐
其他推荐
- DMTH4014LPSW-13-HXY
- DMTH4008LPS-13-HXY
- DMTH4008LPSQ-13-HXY
- MMSF1310R2-HXY
- MMSF10N03ZR2-HXY
- IRF7805TRPBF-HXY
- FDS6692-HXY
- RSS100N03HZGTB-HXY
- AUIRF7805Q-HXY
- FDS4410A-HXY
- FDS6694-HXY
- RSS100N03FRATB-HXY
- SQ4410EY-T1_GE3-HXY
- IPD90P03P404ATMA1-HXY
- DMP2037U-7-HXY
- IRFR3410TRLPBF-HXY
- SI3404HE3-TPA01-HXY
- DMN3069L-7-HXY
- SI2338DS-T1-BE3-HXY
- SQ2348CES-T1_GE3-HXY
- IXTY90N055T2-HXY
