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DMTH4014LPSWQ-13-HXY
N沟道 40V 40A
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于中高功率电源转换及开关应用。主要参数包括：最大漏极电流ID为40A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至11mΩ，具备较低的导通损耗和良好的热稳定性。器件采用优化设计，支持高效能开关操作，适合用于消费类电子设备中的同步整流、DC-DC转换、电池管理及电机驱动等应用场景。
- 商品型号
- DMTH4014LPSWQ-13-HXY
- 商品编号
- C49420430
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.133125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.54nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 171pF |
商品概述
DMTH4014LPSWQ - 13采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V,ID = 40A
- RDS(ON) < 14mΩ,VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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