温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVMFS024N06CT1G-HXY
N沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本产品为N沟道场效应管（MOSFET），具有30A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中功率开关与电源转换应用。导通电阻（RDON）低至20mΩ，有效降低导通损耗，提升系统能效。器件采用优化的结构设计，具备良好的热稳定性和耐用性，适用于电源管理模块、DC-DC转换器、电机驱动电路及高性能计算设备中的功率控制单元，满足多样化电子系统对效率与可靠性的需求。
- 商品型号
- NVMFS024N06CT1G-HXY
- 商品编号
- C49420427
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品概述
NVMFS024N06CT1G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 30A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 25mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
- AOD454A
- DMN2020LSN-7-HXY
- DMTH4014LPSWQ-13-HXY
- DMTH4014SPSW-13-HXY
- DMTH4014LPSW-13-HXY
- DMTH4008LPS-13-HXY
- DMTH4008LPSQ-13-HXY
- MMSF1310R2-HXY
- MMSF10N03ZR2-HXY
- IRF7805TRPBF-HXY
- FDS6692-HXY
- RSS100N03HZGTB-HXY
- AUIRF7805Q-HXY
- FDS4410A-HXY
- FDS6694-HXY
- RSS100N03FRATB-HXY
- SQ4410EY-T1_GE3-HXY
- IPD90P03P404ATMA1-HXY
- DMP2037U-7-HXY
- IRFR3410TRLPBF-HXY
- SI3404HE3-TPA01-HXY