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BSC0703LSATMA1-HXY
60V 80A
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- 描述
- 本N沟道场效应管（MOSFET）具备优异的电性能与高可靠性，适用于多种功率应用场景。其漏极电流ID可达80A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至5.3mΩ，有助于减少导通损耗并提升整体效率。器件结构设计优化，具备良好的热稳定性和快速开关特性，适合用于电源适配器、储能系统、智能家电及高性能计算设备中的功率控制与能量转换环节。
- 商品型号
- BSC0703LSATMA1-HXY
- 商品编号
- C49420417
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.136nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 257pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 286pF |
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