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SIS429DNT-T1-GE3-HXY
P沟道 30V 35A
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备良好的导电能力和稳定的电气性能。其漏极电流ID为35A，漏源电压VDSS为30V，适合多种中功率应用场景。导通电阻RDON为13mΩ，有助于降低功耗并提升效率。该器件常用于电源切换、负载管理及直流电机控制等电路中，适用于智能家电、消费电子、储能设备及通信模块等多样化领域，助力实现高效、紧凑的电路设计方案。
- 商品型号
- SIS429DNT-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C49420424
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
商品概述
SIS429DNT-T1-GE3采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30 V,漏极电流ID = -35 A
- 当栅源电压VGS = -10 V时,导通电阻RDS(ON) < 15 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5 V时,导通电阻RDS(ON) < 26 mΩ
应用领域
-全桥转换器的高端开关-液晶显示器的DC/DC转换器
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