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SM4185T9RL-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源耐压（VDSS），适用于中低功率电路设计。导通电阻（RDON）低至10mΩ，可显著减少导通状态下的功率损耗，提升系统效率。该器件具备良好的热稳定性和快速响应特性，适合用于电源管理、电池供电设备、DC-DC转换器及各类便携式电子产品中的开关控制电路，满足多样化电子应用对高效与可靠性的需求。
- 商品型号
- SM4185T9RL-HXY
- 商品编号
- C49420425
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.375377克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 172pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
SM4185T9RL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -40V，ID = -50A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 19mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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