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DMTH6010LPSWQ-13-HXY
60V 80A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高性能的导电能力和良好的热稳定性。其最大漏极电流ID为80A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON仅为5.3mΩ，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。适用于各类中高功率电源转换设备、电机驱动电路、智能家电以及通信设备中的开关与调节应用，满足对小型化与高效能兼顾的设计需求。
- 商品型号
- DMTH6010LPSWQ-13-HXY
- 商品编号
- C49420416
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.136nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 257pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 286pF |
商品概述
DMTH6010LPSWQ-13采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 80A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 7mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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