DMTH6010LPS-13-HXY

60V 80A

描述

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高效率、高密度电源转换系统。其主要参数包括：漏极电流ID为80A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至5.3mΩ，可有效降低导通损耗，提升系统整体效率。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于各类高性能开关电源、同步整流、电池管理及负载开关等应用场景，支持高频高效工作，满足严苛的电源设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMTH6010LPS-13-HXY

商品编号

C49420418

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.137克(g)