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RJK0355DSP-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能与稳定的工作表现。其漏极电流ID为15A，漏源电压VDSS为30V，确保在中功率应用中的可靠性。导通电阻RDON低至8mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。适用于各类电源管理、开关电路及负载控制等场景，如电源适配器、储能系统、智能家电和通信设备中，满足高效、小型化设计需求。
- 商品型号
- RJK0355DSP-HXY
- 商品编号
- C49420423
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114646克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 983pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 147pF |
商品概述
RJK0355DSP采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 15A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 10mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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