温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVMFS5C670NLWFAFT3G-HXY
60V 80A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能，适用于高效率电源转换系统。其主要参数包括：漏极电流ID为80A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至5.3mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。该器件采用成熟工艺制造，具有良好的热稳定性和可靠性，适合应用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关及电池管理系统等高频高功率场景中，满足对性能与能效有较高要求的设计需求。
- 商品型号
- NVMFS5C670NLWFAFT3G-HXY
- 商品编号
- C49420421
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.136nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 257pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 286pF |
商品概述
NVMFS5C670NLWFAFT3G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 80A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 7mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
- NVMFS5C670NLAFT1G-HXY
- RJK0355DSP-HXY
- SIS429DNT-T1-GE3-HXY
- SM4185T9RL-HXY
- NVATS5A107PLZT4G-HXY
- NVMFS024N06CT1G-HXY
- AOD454A
- DMN2020LSN-7-HXY
- DMTH4014LPSWQ-13-HXY
- DMTH4014SPSW-13-HXY
- DMTH4014LPSW-13-HXY
- DMTH4008LPS-13-HXY
- DMTH4008LPSQ-13-HXY
- MMSF1310R2-HXY
- MMSF10N03ZR2-HXY
- IRF7805TRPBF-HXY
- FDS6692-HXY
- RSS100N03HZGTB-HXY
- AUIRF7805Q-HXY
- FDS4410A-HXY
- FDS6694-HXY