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NTMFS5C670NT1G-HXY
60V 80A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能和稳定的工作表现。其漏极电流ID可达80A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至5.3mΩ，适合高效率、大电流应用场景。采用先进的制造工艺，确保了器件在高频开关和功率转换中的可靠性。适用于电源管理、电池充放电控制、消费类电子设备及高性能计算设备中的功率调节与传输场景。
- 商品型号
- NTMFS5C670NT1G-HXY
- 商品编号
- C49420415
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.136nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 257pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 286pF |
商品概述
NTMFS5C670NT1G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 80A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 7mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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