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NTMFS5C670NLT1G-HXY
60V 80A
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- 描述
- 本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有良好的电性能和稳定性，漏源电压VDSS为60V，最大连续漏极电流ID可达80A，导通电阻RDON典型值为5.3mΩ。该器件适用于多种中高功率电源管理与转换应用，如开关电源、电池充放电控制及直流变换器等电路。凭借较低的导通损耗和优异的热稳定性，该MOSFET可有效提升系统效率与可靠性，适合用于对性能和能效有较高要求的电子设备中。
- 商品型号
- NTMFS5C670NLT1G-HXY
- 商品编号
- C49420414
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137374克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.136nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 257pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 286pF |
商品概述
NTMFS5C670NLT1G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 80A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 7mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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