温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRLH5030TRPBF-HXY
N-SGT增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具备优异的电性能表现，漏源电压VDSS为100V，最大连续漏极电流ID可达75A，导通电阻RDON典型值为6.4mΩ。该参数组合使其适用于多种高效率电源转换系统中的高频开关应用，如适配器、电池管理系统及直流电机控制电路。器件设计兼顾低损耗与高可靠性，适合对能效和稳定性有一定要求的电子设备使用。
- 商品型号
- IRLH5030TRPBF-HXY
- 商品编号
- C49420413
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.944nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.04pF | |
| 输出电容(Coss) | 736pF |
商品概述
IRLH5030TRPBF采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更高的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 75 A
- 在栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 7.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
相似推荐
其他推荐
- NTMFS5C670NLT1G-HXY
- NTMFS5C670NT1G-HXY
- DMTH6010LPSWQ-13-HXY
- BSC0703LSATMA1-HXY
- DMTH6010LPS-13-HXY
- NVMFS5H663NLWFT1G-HXY
- NVMFS5C670NLWFAFT3G-HXY
- NVMFS5C670NLAFT1G-HXY
- RJK0355DSP-HXY
- SIS429DNT-T1-GE3-HXY
- SM4185T9RL-HXY
- NVATS5A107PLZT4G-HXY
- NVMFS024N06CT1G-HXY
- AOD454A
- DMN2020LSN-7-HXY
- DMTH4014LPSWQ-13-HXY
- DMTH4014SPSW-13-HXY
- DMTH4014LPSW-13-HXY
- DMTH4008LPS-13-HXY
- DMTH4008LPSQ-13-HXY
- MMSF1310R2-HXY