ISC0805NLSATMA1-HXY

N-SGT增强型MOSFET

描述

本N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有100V漏源耐压（VDSS）和75A持续漏极电流（ID）能力，适用于中高功率电路设计。导通电阻（RD(on)）仅为6.4mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。器件可广泛应用于电源管理、开关变换器、负载控制及高性能电子设备中，满足对能效、热稳定性和空间布局有要求的电路场景。标准封装形式有利于简化电路板设计与量产实施，是一款性能稳定的通用型功率MOSFET。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

ISC0805NLSATMA1-HXY

商品编号

C49420411

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.144克(g)