BSC096N10LS5ATMA1-HXY

N-SGT增强型MOSFET

描述

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有较高的电流承载能力，持续漏极电流ID可达75A，漏源电压VDSS为100V，确保在中高功率应用中的稳定性。导通电阻RD(on)低至6.4mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统效率。适用于电源管理、开关电路、负载控制及高性能电子设备中，满足对能效和散热要求较高的场景。器件采用标准封装形式，便于集成与量产，是一款性能均衡的通用型MOSFET。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

BSC096N10LS5ATMA1-HXY

商品编号

C49420409

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.145克(g)