BSC096N10LS5ATMA1-HXY

N-SGT增强型MOSFET

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描述: 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有较高的电流承载能力，持续漏极电流ID可达75A，漏源电压VDSS为100V，确保在中高功率应用中的稳定性。导通电阻RD(on)低至6.4mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统效率。适用于电源管理、开关电路、负载控制及高性能电子设备中，满足对能效和散热要求较高的场景。器件采用标准封装形式，便于集成与量产，是一款性能均衡的通用型MOSFET。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: BSC096N10LS5ATMA1-HXY
商品编号: C49420409
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.145克(g)

商品参数