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IRFH5010TRPBF-HXY
N-SGT增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有较高的电流承载能力，最大漏极电流（ID）达75A，漏源击穿电压（VDSS）为100V，导通电阻（RDON）低至6.4mΩ。该器件适用于高功率密度电源系统、高效能转换器、电池管理系统以及大功率负载的开关控制。其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统整体效率，同时支持在较高频率下稳定工作，适合对性能和可靠性有较高要求的应用场景。
- 商品型号
- IRFH5010TRPBF-HXY
- 商品编号
- C49420408
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145455克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.944nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.04pF | |
| 输出电容(Coss) | 736pF |
商品概述
IRFH5010TRPBF采用先进的SGT MOSFET技术,可提供低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V
- 漏极电流ID = 75 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 7.5 mΩ
应用领域
-消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离式直流电源-同步整流应用
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