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NCE0202ZA

1个N沟道 耐压:200V 电流:2A

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商品型号
NCE0202ZA
商品编号
C502767
商品封装
TO-92-2.5mm​
包装方式
编带
商品毛重
0.24克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))580mΩ@10V,2A
耗散功率(Pd)3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)12nC@100V
输入电容(Ciss@Vds)580pF@25V
反向传输电容(Crss)3pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

FDMesh™将低导通电阻、快速开关的优势与固有的快速恢复体二极管相结合。因此,强烈推荐用于桥接拓扑结构,特别是零电压开关(ZVS)移相转换器。

商品特性

  • VDS = 200V,ID = 2A
  • RDS(ON) < 580 m Ω(在 VGS = 10 V 时,典型值为 520 m Ω)
  • 高密度单元设计,实现极低的 RDS(ON)
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 出色的封装,具备良好的散热性能

应用领域

-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF