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NCE0202ZA
1个N沟道 耐压:200V 电流:2A
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE0202ZA
- 商品编号
- C502767
- 商品封装
- TO-92-2.5mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 580mΩ@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@100V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 580pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDMesh™将低导通电阻、快速开关的优势与固有的快速恢复体二极管相结合。因此，强烈推荐用于桥接拓扑结构，特别是零电压开关（ZVS）移相转换器。
商品特性
- 典型漏源导通电阻 = 0.22 Ω
- 高dv/dt和雪崩能力
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 严格的工艺控制和高制造良率
应用领域
- 用于开关电源和焊接设备的ZVS移相全桥转换器