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DMT3006LPS-13-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有较高的电流承载能力，持续漏极电流ID可达80A，漏源击穿电压VDSS为30V，适用于中高功率的电源管理与转换场景。导通状态下，其导通电阻RDON低至4.7mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于各类高效能电源系统中的开关控制与能量传输环节。
- 商品型号
- DMT3006LPS-13-HXY
- 商品编号
- C48996351
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
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