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ISC045N03L5S-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能表现，漏极电流ID可达80A，漏源电压VDSS为30V，适用于多种中高功率电源应用场景。其导通电阻RDON仅为4.7mΩ，有效降低导通损耗，提升整体系统效率。器件采用成熟封装技术，具备良好的散热性能与稳定性，适用于各类电源转换、负载开关及高效能电路设计中，提供可靠的开关控制与能量传输支持。
- 商品型号
- ISC045N03L5S-HXY
- 商品编号
- C48996502
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
ISC045N03L5S采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V ID = 80A
- RDS(ON) < 6mΩ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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