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BSC050N0LSG-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V漏源耐压（VDSS），可持续通过80A漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至4.7毫欧，适用于高功率密度和高效能转换的电路设计。器件基于高性能硅工艺制造，具备优异的开关速度与热稳定性，适合用于电源适配器、储能系统、消费类电子设备及高性能计算模块等场景。其超低导通电阻显著降低导通损耗，提升整体系统效率，满足对功率控制有严苛要求的应用需求。
- 商品型号
- BSC050N0LSG-HXY
- 商品编号
- C48996350
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个5000个/圆盘
总价金额：
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