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2SK4178-ZK-E1-AY-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源电压（VDSS）和60A的最大漏极电流（ID），适用于中高电流应用场景。其导通电阻（RDON）仅为7毫欧，有效降低导通损耗，提升系统效率。器件采用优化的沟槽结构设计，具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于电源管理、开关电路、电池保护及各类高性能电子设备中。优异的电气特性和可靠性可满足广泛通用型电路设计的需求。
- 商品型号
- 2SK4178-ZK-E1-AY-HXY
- 商品编号
- C48996349
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品概述
2SK4178-ZK-E1-AY采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 60 A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 9 mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源
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