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BSC027N06LS5ATMA1-HXY

N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET

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描述: 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高性能与高稳定性的特点，适用于多种功率电子系统。其主要参数包括：最大漏极电流ID为125A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至2.4mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。器件采用优化设计，具备快速开关响应和良好热稳定性，适合应用于电源转换器、储能系统、电机控制电路以及各类精密电子设备中的功率管理环节。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: BSC027N06LS5ATMA1-HXY
商品编号: C48996348
商品封装: DFN5X6-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.148克(g)

商品参数

DMTH6004LPSQ - 13采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性。