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NTMFS5C628NT1G-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
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- 描述
- 本N沟道场效应管（MOSFET）具有125A连续漏极电流能力和60V漏源耐压，导通电阻低至2.4mΩ，可有效减少导通损耗并提升系统效率。器件基于优化的晶圆工艺设计，具备良好的热稳定性和高频开关特性，适用于高功率密度电源转换、同步整流、电池管理系统及高效能负载控制等应用，在严苛工作环境下仍能保持可靠运行。
- 商品型号
- NTMFS5C628NT1G-HXY
- 商品编号
- C48996346
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 74.37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.61nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.188nF |
商品概述
NTMFS5C628NT1G采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V,漏极电流ID = 125 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 2.9 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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