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FDMD84100
双N沟道功率沟槽MOSFET，100V，21A，20mΩ
- 描述
- 该封装集成了两个N沟道器件，内部采用共源极配置连接。这使得封装寄生参数非常低，并优化了通向底部共源焊盘的热路径。为更高的功率密度提供了非常小的占位面积（3.3×5mm）。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMD84100
- 商品编号
- C463245
- 商品封装
- Power-8(3.3x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@6V；16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 734pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 168pF |
商品概述
该封装集成了两个采用共源极配置内部连接的N沟道器件。这可实现极低的封装寄生效应，并优化通往底部共源焊盘的热路径。它占用面积非常小（3.3 x 5 mm），有助于实现更高的功率密度。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 7 A时，最大rDS(on) = 20 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 5.5 A时，最大rDS(on) = 32 mΩ
- 非常适合用于次级侧同步整流的灵活布局
- 引脚无铅且符合RoHS标准
- 经过100% UIL测试
应用领域
- 隔离式DC-DC同步整流器
- 共地负载开关