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HTW083Z65C
ID:29A VDSS:650V RDON:60mR N沟道
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- 描述
- 此款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，拥有29安培的连续漏极电流（ID）和650伏特的漏源击穿电压（VDSS），适合于高压环境下的应用。其导通电阻（RDON）低至60毫欧，有助于减少功率损耗，提高能效。栅源电压（VGS）为15伏特，确保了器件的稳定驱动。该MOSFET适用于各种需要高效能、低损耗的电力转换与控制系统，如电源供应器、逆变器等场合。
- 商品型号
- HTW083Z65C
- 商品编号
- C42389120
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 79mΩ |