HAIMZH120R160M1T

ID:19A VDSS:1200V RDON:160mR N沟道

描述

这款碳化硅场效应管(MOSFET)是一款N沟道器件，具备19A的连续漏极电流(ID)能力和1200V的漏源电压(VDSS)。其导通电阻仅为160mΩ(RDON)，能够有效降低系统能耗，提高效率。栅源电压(VGS)为20V，确保了良好的驱动性能和可靠性。该产品适用于需要高电压、大电流处理能力的应用场景，如高效电源转换、逆变器及开关电路设计等，是追求高性能与可靠性的理想选择。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HAIMZH120R160M1T

商品编号

C42389119

商品封装

TO-247-4L​

包装方式

管装

商品毛重

8.072克(g)