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ZXMN3A14FQTA
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.2A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN3A14FQTA
- 商品编号
- C3290027
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 448pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感应开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准，无卤