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HUFA75309T3ST
N沟道, 电流:3A, 耐压:55V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUFA75309T3ST
- 商品编号
- C3289943
- 商品封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.323克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 352pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽低压MOSFET技术
- 高密单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 湿气敏感度等级1级
- 无卤，“绿色”器件
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无铅涂层/符合RoHS标准（后缀“P”表示符合RoHS标准）