FQT4N20TF
N沟道,电流:0.85A,耐压:200V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQT4N20TF
- 商品编号
- C3289942
- 商品封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.323克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 850mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品特性
~~- 先进沟槽工艺技术-用于超低导通电阻的高密度单元设计
应用领域
- 负载开关-功率放大器开关